近年来，以碳化硅（Silicon Carbide，SiC）和氮化镓（Gallium Nitride，GaN）为代表的第三代半导体材料发展迅速。与传统硅材料相比，SiC和GaN具有禁带宽度大、击穿电场强、电子迁移率高及耐高温等优点，可满足高频、高压和高效率电能变换的应用需求。目前，基于SiC和GaN材料制造的功率器件已广泛应用于新能源汽车、光伏发电、储能系统、5G通信及数据中心等领域，成为现代电力电子技术的重要发展方向，也推动了电子设备向高效率、 小型化和高可靠性方向发展。