传统二极管主要采用硅（Si）材料制造。随着电力电子技术向高效率、高频率和高功率密度方向发展，以碳化硅（Silicon Carbide，SiC）为代表的第三代半导体材料逐渐成为功率器件的重要发展方向。与传统硅材料相比，SiC具有禁带宽度大、击穿电场强、热导率高和耐高温等优点，可显著提高器件的耐压能力和工作可靠性。

利用SiC材料制造的肖特基二极管具有反向恢复损耗低、开关速度快和转换效率高等特点，特别适用于高频、高压电能变换场合。目前，SiC功率器件已广泛应用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变器、储能变流器及直流快速充电设备等领域，为实现高效、节能的电能转换提供了重要技术支撑。