低电压LVCMOS 制程

传统74LS138 为5V固定TTL工艺；74LVC138 低压CMOS 新工艺采用超薄栅氧化层、多晶硅栅制造，工作电压 1.65~5.5V，适配锂电池便携设备；输入内置ESD 钳位二极管，抗静电能力达8kV HBM，可直接对接单片机3.3V IO 口；国产长晶、兆易推出车规级LVC138，满足AEC-Q100 标准，用于车载仪表地址译码、新能源BMS 多路信号分配，替代老旧TTL

译码器降低整机功耗60% 以上。

Micro-LED 微显示技术

传统LED 数码管为毫米级晶粒、亮度功耗受限；InGaN 氮化镓发光新材料搭配激光巨量转移新工艺制成Micro-LED 微型像素，晶粒尺寸仅10~30μm，亮度、对比度远高于普通 LED，配合新一代专用数字显示译码驱动芯片，用于 AR 眼镜、车载微型仪表、工业高精度数显；量子点色转换光刻新工艺简化 RGB 全彩制备，大幅降低Micro-LED 彩色显示生产成本，替代传统大尺寸数码管与 LCD 屏。